《红豆视频app下载-红豆视频app下载高清无限制下载-红豆...》剧情简介：小时间我的老爸是个爱开顽笑的人隔邻家的女孩经常成为他玩笑的工具喊一声爸爸给一粒糖果老爸那带着几分戏谑的话语现在追念起来仍清晰如昨然而这玩笑关于其时年幼的女孩来说却并非轻松之事每次听到这话她总是满脸绯红像一只受惊的小鹿远远地躲开第一百五十九章 魔刀血苍穹红豆视频app下载-红豆视频app下载高清无限制下载-红豆...各人……你们的召唤声我听到了朴直以拳抵地一口钢牙险些要被咬碎方源的压力似乎不那么强了他真的缓慢地一步步地顽强地撑了起来监测员一周共纪录到猛禽16种5590只标记着九龙山秋季猛禽迁徙黄金期的到来
《红豆视频app下载-红豆视频app下载高清无限制下载-红豆...》视频说明：虽然他伤势还没好但也执偾皮外伤罢了此前受创的经脉已在昨夜恢复泰半只要不全力调动真元便可无碍以他的轻功只是去看一看情形想来不会有什么危险江馆也是母亲亦是父亲更是把大爱演绎成小家温情妻贤子贤直播吧7月30日讯 土耳其媒体Sabah Spor报道费内巴切正在追求阿姆拉巴特
一文捋顺功率半导体器件及模组首发2023-10-20 07:07·令郎丶井目录前言什么是功率半导体功率半导体器件与功率半导体模组Si IGBT与SiC MOSFETSiC功率半导体工业剖析本文将以功率半导体器件及模组作为切入点深入探讨整个半导体功率工业前言近年来随着电动车渗透率的逐步提升在种种汽车半导体产品中功率半导体是受益最大的一个领域凭证Strategy Analytics的数据：古板燃油车：微控制器（MCU）的价值占比最高抵达23%；其次为功率半导体占比为21%纯电动车型：功率半导体使用量大幅提升成为占比最高的半导体产品抵达55%其次为微控制器（MCU）占比为11%除新能源汽车以外功率半导体还普遍应用于：消耗电子、光伏逆变器、家电、轨交、风电、电网等众多领域研究机构Omdia预计2023年全球功率半导体市场规模有望抵达503亿美元什么是功率半导体功率半导体又称为电力电子（Power Electronic）主要用于电力装备中电能变换和控制电路方面的大功率电子器件是电子装备电能转换和电路控制的要害组件主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等普遍应用在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域功率半导体可以分为功率半导体分立器件（功率半导体器件）和功率半导体集成电路模组（功率半导体模组）两种功率半导体器件功率半导体的分类功率半导体器件可以分为三大类：IGBT、MOS与BJT的符号体现双极型晶体管(BJT,bipolar junction transistor)：①二极管如功率整流二极管、肖特基二极管、齐纳稳压管和二极管组件等；②三极管如PNP、NPN三极管、功率达林顿晶体管等；③晶闸管及其派生器件如通俗晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、差池称晶闸管、门极辅助关断晶闸管、光控晶闸管、可关断晶闸管、静电感应晶闸管这类功率半导体器件开关速率慢常用于低频领域场效应晶体管（MOS,Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）：如、隔离栅晶体管、功率静电感应晶体管、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET,Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等绝缘栅双极型晶体管（IGBT）:IGBT中文全名为绝缘栅双极型晶体管（Insulate-Gate Bipolar TransistorIGBT）它是由BJT和MOS组成的功率半导体复合器件若是各人着实觉难以明确没关系就记着一句话：IGBT是一种组合的晶体管就可以了IGBT的结构及等效电路图其中MOSFET、IGBT是现在最主要细分市场划分占比40%、25%整体来看在低压下MOSFET在电性能和价钱上具有优势；凌驾600V以上电压越高IGBT优势越显着功率半导体器件功率半导体模组功率半导体模组：是通过将功率半导体器件与种种功效的外围电路举行集成而获得的功率半导体集成电路模组（可以简朴的明确为是功率半导体器件的二次设计集成）功率半导体模组功率半导体模组内部由许多功率半导体器件组乐成率半导体模组和汽车制造业一样属于手艺含量低（这个低是相对的哦相对与功率半导体的晶圆与衬底制造而言）产值大的工业可谓是各地招商的香饽饽汽车领域细分市场功率模组中所用器件同时尚有一个IPM（Intelligent Power Module智能功率�？椋┑目捶�除却功率�？榈幕竟πе�智能功率�？榛咕哂心诓考傻穆呒⒖刂啤⒓觳夂捅；さ缏�这使得其使用越发利便不但减小了系统的体积和开发时间还大大增强了系统的可靠性着实若是不以严酷意义来划分一样平常的我们通常所说的功率�？椋ɑ蚰Ｗ椋┛梢缘燃鄣拿魅肺褪荌PM以IGBT说明器件、模组、IPM的差别凭证Omdia的数据统计2021年功率半导体器件与�？槿蚴谐」婺Ｎ�275亿美元其中英飞凌以19.7%的市场占有率居于领先职位紧随厥后的是安森美和意法半导体CR5约为43.3%Si IGBT与SiC MOSFET：SiC MOSFET是时势所趋凭证NE时代的统计数据凭证交强险数据口径2022年中国本土新能源乘用车功率�？樽盎恐�英飞凌仍位居第一累计装机127.5万套市场份额约25%但比亚迪半导体（市场份额22.9%）、斯达半导（市场份额14.9%）、中车时代（市场份额12.4%）装机量都在一连提升近年来功率半导体在新能源汽车中的价值量大幅提升凭证Strategy Analytics的数据2022年电动汽车的平均单车半导体价值量已抵达1000美元相比古板内燃车提升了一倍其中价值量提升最多的是功率半导体预计到2028年纯电动汽车的单车半导体价值量将抵达快要1500美元其中功率半导体占比近半凭证EVVolumes的统计数据中国新能源汽车的渗透率从2020年的5.6%大幅提升至2022年的25.6%在新能源汽车高速增添的配景下功率半导体大有可为总的来说Si IGBT与SiC MOSFET是目今功率半导体市场的主流解决计划各器件特征比照Si IGBTIGBT是三端口的复合器件（和BJT很是像）划分包括：栅极集电极和发射极同时具备MOSFET输入阻抗高、开关速率快、控制功率小、驱动电路简朴、开关消耗小以及BJT 导通电压低、通态电流大、消耗小的优点（这就是组合晶体管的优势所在）IGBT和MOSET、BJT比照IGBT的市场增量：新能源车是IGBT最大增量市场IGBT是新能车电控系统和直流充电桩的焦点器件占到整车本钱的10%占充电桩本钱的20%光伏和储能是IGBT第二增量市场IGBT是光伏逆变器、储能逆变器的焦点器件功率半导体工业链IGBT竞争名堂全球IGBT竞争名堂来看外洋企业较早结构该领域因此具有先发优势并通过收购整合迅速抢占了市场份额使得全球市场的集中度较高英飞凌（德35%）、三菱（12%日）、富士电机（日8%）、安森美（美）、东芝（日）合计占有了约70%市场份额海内IGBT龙头斯达半导位列IGBT�？槭谐〉诹�3%）、时代电气位列IGBT�？槭谐〉谑�2%）功率器件IDM龙头杭州士兰微位列IGBT分立器件市场第八（3.5%）、IPM�？槭谐〉诰牛�2.2%）SiC MOSFET这里的我们所说的MOSFET是SiC MOSFETSiC是由硅和碳组成的化合物半导体质料在热、化学、机械方面都很是稳固SiC比GaN和Si具有更高的热导率意味着SiC器件比GaN或Si从理论上可以在更高的功率密度下操作因此SiC越发适用于制作高压高功率密度器件SiC MOSFET的开关速率快、消耗小能耗低、便于集成在通讯、消耗电子、汽车电子、工业控制等众多领域有普遍应用全球MOSFET行业集中度高由英飞凌、安森美、东芝等西欧日系厂商主导海内厂商市占率仍处于较低水平华润微：海内功率半导体IDM大厂、MOSFET龙头厂商产品包括功率半导体、智能传感器及智能控制产品闻泰科技：旗下安世半导体为全球领先的功率半导体IDM厂商小信号二极管和晶体管出货量全球第一、小信号MOSFET全球第一、功率分立器件全球第六士兰微：海内功率半导体IDM大厂MOSFET、IPM�？楹Ｄ谑姓悸柿煜�公司营业涵盖分立器件、集成电路、发光二极管三大类分立器件笼罩MOSFET、IGBT等产品新洁能：海内MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件设计大厂由于MOSFET原理上不爆发尾电流以是用SiC MOSFET替换Si IGBT时能够显着地镌汰开关消耗并且实现散热部件的小型化另外由于SiC MOSFET能够在IGBT不可事情的高频条件下驱动从而也可以实现被动器件的小型化IGBT真的不可吗请记着一句话不是IGBT不可拉胯的是Si衬底可不是IGBTIGBT的实现形式有许多：它可以在Si衬底（或外延）上实现也可以在SiC衬底（或外延）上实现还可以在GaN外延（或外延）上实现于是就可以获得Si IGBT、SiC IGBT甚至GaN IGBT了虽然差别衬底或外延上制备获得的IGBT特征也会随着衬底或外延质料的转变而转变价钱转变也会更大至于现在为啥都是在说Si IGBT很少有人谈及SiC IGBT或GaN IGBT有一点要声明绝不是由于性能缘故原由恰恰相反SiC IGBT或GaN IGBT性能吊打Si IGBT可是SiC IGBT或GaN IGBT着实是太贵了并且SiC IGBT或GaN IGBT的耐压规模轻松干到10KV以上性能严重溢出而现在SiC的MOSFET可以做到6500V耐压已经能笼罩现在的Si IGBT耐压水平了且MOSFET的芯片结构比IGBT简朴以是现在没有须要用SiC来做IGBT铺张本钱除非以后需要10kV级别的器件才有可能思量SiC的IGBTSiC IGBT要实现商业化尚有三浩劫题：应用场景问题：只有高压大功率领域SiC IGBT才有价值载流子寿命问题：IGBT器件电导调制能力依赖于漂移区载流子寿命事实上关于10-20kV电压品级的碳化硅IGBT器件3us-5us的载流子寿命就可以了可是现在碳化硅载流子寿命提高的热氧化法和C离子注入退火法都难以实现稳固的载流子寿命提高实验效果的片间匀称性很差以是难以形成商业化的器件产品良品率问题：10kV以上高压器件终端的良品率、双金属欧姆接触对之前形成的栅氧的影响造成的良品率问题等等SiC MOSFET的优势剖析现在接纳Si IGBT手艺的功率�？樵诘缍涤τ弥腥匀徽加兄鞯贾拔�然而由于经由数十年的生长硅基功率器件正在靠近质料极限要进一步提高Si IGBT功率器件的性能很是难题因此仅就功率半导体工业而言一直在一连演进的宽禁带功率器件SiC MOSFET是更具潜力的宽禁带功率SiC器件比Si器本钱要贵许多（12英寸Si衬底也就200/片而SiC 6英寸衬底6000+/片）但因其功率组件的尺寸和重量减小特殊是在相同里程规模内可节约电池容量因此能够降低整体动力总成本钱SiC与Si质料的比照在新能源汽车领域以SiC器件所实现的逆变器可以带来更高的逆变器效率、更小的系统尺寸、更低的系统本钱和更长的行驶里程在 DC-DC 应用中SiC器件可以提供更高的开关频率FSW 、更高的效率、双向操作、更小的无源元件、更小的系统尺寸和更低的系统本钱以英飞凌为例：其650V TRENCHSTOPTM F5 Si IGBT 和 650V CoolSiC? SiC MOSFET在400V 输出的 3.3 千瓦图腾柱 PFC的功率消耗比照中SiC MOSFET的逆变器能耗相关于Si IGBT可降低约63%SiC功率半导体工业剖析功率器件包括芯片设计、芯片制造、封装测试和对外销售等环节与其他半导体工业类似功率半导体工业链也可分为上中下游：上游：主要是原质料和装备供应环节包括晶圆、光刻机、引线框架、宽禁带质料和其他辅助质料的供应中游：主要是芯片制造、设计、封装等生产制造环节产品包括功率IC、分立器件和�？�其中IGBT和MOSFET在功率分立器件中价值量最大下游：险些涵盖所有电子制造业包括消耗电子、工业控制、电力传输和新能源等领域什么是SiC（碳化硅）SiC 是第三代宽禁带化合物半导体质料第一、二、三、四代半导体示意图在禁带宽度、热传导率、击穿场强、电子饱和漂移速率等物理特征上保存显着优势被普遍应用于新能源领域（光伏、储能、充电桩、电动车等大功率高电压应用场景）一二三代半导体的应用示意图SiC 器件因其质料特征泛起出导通消耗更低、事情电压高、功率密度大（同样功率晶体管尺寸可以做的更小有利于小型化）、热稳固性强的电器性能SiC功率器件SiC 功率器件主要包括SiC二极管、SiC晶体管以及SiC功率�？槿蠓掷�现在SiC SBD二极管和MOSFET 晶体管现在应用最普遍、工业化成熟度最高SiC IGBT 和GTO 等器件由于手艺难度大本钱高市场化历程较慢SiC 功率器件分类与Si基数字芯片焦点手艺点差别第三代半导体SiC功率器件的要害手艺在于衬底外延的制备与器件模组的研发对工艺制程要求不高可不受先进光刻机的制约目今海内第一梯队的SiC相关企业均已具备IDM能力碳化硅器件本钱结构：衬底及外延占有70%阻止2022年海内6寸SiC晶圆（折合）产能约10万片/年凭证中国宽禁带功率半导体及应用工业同盟测算随着海内新能源汽车的飞速生长2025年海内SiC需求将有望突破50万片/年海内主要SiC企业均在起劲扩产SiC为什么要做外延呢外延是指通过外延生长手艺（如气相外延MOCVD、液相外延等）在衬底上生长出来的薄膜这个薄膜可以与衬底用相同的质料（同质外延）但可以用与衬底差别的质料（异质外延）外延片的制作外延的主要作用可以归结两个方面：一是同质外延可以提升器件的稳固性从生产工艺来看外延手艺对外延温度、气流、时间等参数的准确控制使得外延层的缺陷度可以比同质衬底更小在衬底上沉积一层外延可以抵达提高器件的性能及可靠性的目的由于SiC 外延有一定难度以是市场上有一些专门做SiC 外延的厂商二是异质外延可以大幅降低本钱好比它通过在自制的硅片上生长一层薄薄的GaN外延这样用成熟的第一代半导体质料做衬底来(部分)实现第三代半导体宽禁带的特征可谓是相当划算可是这种异质外延结构也保存如晶格失配（可以明确为把脚手架搭在塑料地基上）、温度系数纷歧致（热胀冷缩温度转变时差别材质一定保存问题）、热传导不良（Si的导热性很差的）等问题借助石墨烯实现Si衬底上单晶GaN薄膜的外延生长SiC碳化硅器件凭证电阻性能的差别分为导电型碳化硅功率器件和半绝缘型碳化硅基射频器件碳化硅的主要器件形式及应用导电型衬底：是通已往除晶体中的种种杂质特殊是浅能级杂质实现晶体的本征高电阻率在导电型SiC 衬底上生长SiC 外延层制得SiC 外延片可进一步制乐成率器件应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域半绝缘型衬底：接纳N 掺杂通过标定氮气掺杂浓度、生长速率等参数与晶体电阻率的对应关系等方法实现导电型产品电阻率的准确控制在半绝缘型SiC 衬底上生长氮化镓外延层制得SiC 基氮化镓（GaN-on-SiC）外延片可进一步制成微波射频器件主要用于5G通讯、车载通讯、国防应用、数据传输、航空航天后记在整个半导体工业下行周期大行情下功率半导体工业或可依托飞速生长的新能源汽车、储能及民用航空航天工业实现逆势增添本文略有深度作者之前有不少科普性文章感兴趣可参阅傻瓜式科普：IGBT是个啥玩意第三代半导体SiC碳化硅究竟是干啥的SiC碳化硅导电衬底与半绝缘衬底究竟啥区别同为第三代半导体GaN与SiC究竟啥区别掏心窝子的聊聊硅基GaN究竟有没有前途衬底与外延这俩究竟是啥关系这回帮你捋顺了【202310更新】SiC主流衬底外延价钱、装备及趋势剖析第三代半导体SiC碳化硅：深度解读
在嚎叫之中突然心皇发出了最后一声惨叫死于横死被方寒活生生的吸死精气规则铭刻在八部浮屠之上秦岚哪是在说"结了婚就不要仳离"啊她说的是咱们看待婚姻要稳重要深图远虑婚姻不是儿戏不是说玩腻了就能随随便便叫停的
2025-09-23 17:22:15
选集播放排序
相关推荐TUIJIAN
正在热映
